ファイル:NPN BJT (Planar) Cross-section.svg

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解説
English: A schematic cross section of a planar NPN BJT, showing the three differently doped silicon regions.
日付
原典 投稿者自身による著作物
作者 Inductiveload
許可
(ファイルの再利用)
Public domain この著作物の著作権者である私は、この著作物における権利を放棄しパブリックドメインとします。これは全世界で適用されます。
一部の国では、これが法的に可能ではない場合があります。その場合は、次のように宣言します。
私は、あらゆる人に対して、法により必要とされている条件を除き、如何なる条件も課すことなく、あらゆる目的のためにこの著作物を使用する権利を与えます。

キャプション

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このファイルに描写されている項目

題材

成立日

2 8 2010

ファイルの履歴

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日付と時刻サムネイル寸法利用者コメント
現在の版2017年11月1日 (水) 07:492017年11月1日 (水) 07:49時点における版のサムネイル300 × 175 (9キロバイト)Mennermore neat proportions
2017年11月1日 (水) 07:452017年11月1日 (水) 07:45時点における版のサムネイル300 × 175 (9キロバイト)MennerA more realistic sketch
2010年8月2日 (月) 06:302010年8月2日 (月) 06:30時点における版のサムネイル300 × 175 (9キロバイト)Inductiveload{{Information |Description={{en|1=A schematic cross section of a planar NPN BJT, showing the three differently doped silicon regions.}} |Source={{own}} |Author=Inductiveload |Date=2010-08-02 |Permission={{P

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メタデータ

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